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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJP11C65MJ N-POWERFET MOSFET 650V 11A 134W Rds<0.36R TO-220AB HV
Référence produit : YJP11C65MJ
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.72 fr | — |
| 5 – 9 | 1.42 fr | -17% |
| 10 – 29 | 1.30 fr | -24% |
| 30 – 49 | 1.19 fr | -31% |
| 50 – 99 | 1.11 fr | -35% |
| 100+Meilleur prix | 1.08 fr | -37% |
Description technique du produit (YJP11C65MJ):
Le YJP11C65MJ est un MOSFET haute performance fabriqué par Yangjie Electronic Technology. Ce N-POWERFET offre 650V, 11A, 134W et une Rds < 0,36 Ohm, dans un boîtier TO-220AB (TO-220) HV. Il convient aux applications de gestion de l\'alimentation, de convertisseurs DC-DC et de commande de moteur. Les paramètres clés incluent : Type : MOSFET, Tension : 650 V, Courant : 11,0 A, Boîtier : TO-220, Résistance (RDSon) : 0,36 Ohm.